集成電路材料産業(yè)位于集成電路産業鏈上(shàng)遊，是整個行業的根基，材料的品質直接影響集成電(diàn)路産品性能。矽晶圓(yuán)、光掩膜(mó)、光刻膠及附屬産(chǎn)品(pǐn)、濺射靶材等集成電路關鍵材料(liào)的穩定供應與集成電路制造(zào)企業生産進(jìn)度高度相(xiàng)關，對集成電路市場及整個産(chǎn)業的發展具有決定性影響。目前，我國集(jí)成電路關鍵材料供應三分之二以上依賴從境外進口，極易受到産業生态改變、國際政治經濟環境(jìng)惡化、自然災害突發、流(liú)行疾病擴(kuò)散等風險因(yīn)素影響。

    2018~2019年，全球集成(chéng)電路材料産業發展态勢平穩，市場(chǎng)規模維持在520億美元以上。其中，中國台灣集成電路材料市場(chǎng)規模連續十年位居全球第一。中國大陸

集成電路市場(chǎng)規模小幅增長，2019年達到86.9億美元，始終(zhōng)保持在(zài)全球前三位(wèi)。另外，全球(qiú)矽晶(jīng)圓、光(guāng)掩(yǎn)膜、光刻膠及附屬産品、濺射靶材等關鍵材料銷售總額占比超六成。日本在集成電路關鍵材料領域優勢明顯，關鍵材(cái)料全球市占率均超五成。

    近年(nián)來，全(quán)球市場平穩發展，中國台灣仍居第一。關鍵制造材(cái)料銷售總額占比超六成。集體電路材料是集成電路産(chǎn)業鏈中細分領域最多(duō)的環節，貫(guàn)穿集成電路晶圓制造、前道工藝（芯片制造）、後道工藝（封裝）整個(gè)過程(chéng)，另外，涉及的應用包(bāo)括矽晶圓、光掩膜(mó)、光刻膠及附屬産品、濺射靶(bǎ)材、化學(xué)機械研(yán)磨（CMP）材料、電子特種(zhǒng)氣體、濕法化學品、封裝基闆、引線框架、液體(tǐ)密封劑、鍵合絲、錫球、電鍍液等(děng)，其中，矽晶圓、光掩膜、光刻(kè)膠及附屬産品、濺射靶材(cái)是集成電(diàn)路制造産業需求量最大、使用量最(zuì)多的核心關鍵材料(liào)。據國(guó)際半導體設備與材料産業協會（SEMI）最新報告數據顯(xiǎn)示，2019年(nián)，全球(qiú)集成電(diàn)路制造材料的銷售總額爲328億美元；矽晶圓、光掩膜、光(guāng)刻膠及附(fù)屬(shǔ)産品、濺射靶材四大集成電路制造關鍵材料的銷售(shòu)額分别爲111.5億美元、38.7億美元、33.7億美元和28.7億美元，各(gè)占全球集成電路材料銷(xiāo)售總額的34%、11.8%、10.3%和8.8%，合(hé)計占比超(chāo)過全球集成電路材料銷售總額的六成；其次，CMP研磨(mó)液和電子特種氣體銷售額分(fèn)别爲7.9億美元和5.5億美元。

    ①矽晶圓。其是最重要的集(jí)成電路材料(liào)，分爲抛光(guāng)片、外延片、退火片、節隔離片和絕緣體上矽片多種(zhǒng)類型，其中抛光片是需求量最大的産(chǎn)品，其他矽晶圓産品也都是在抛光片(piàn)基礎上二次加工而成的。目前，矽(xī)晶圓直徑尺寸主要有3英寸、4英寸、6英(yīng)寸、8英寸、12英寸（300毫米(mǐ)）、18英寸（450毫米(mǐ)）幾(jǐ)種規格。矽晶圓越大，可(kě)制作的集成電(diàn)路芯片數量就越多(duō)，每個芯(xīn)片(piàn)的制造成本就越低。因此，大尺寸晶圓是矽晶圓産(chǎn)業的發展(zhǎn)方向。但矽片尺寸越大，對(duì)工藝設備(bèi)、材料和技術的要求也越(yuè)高，制備(bèi)難度越大。因此，矽晶圓具有極高的技(jì)術壁壘，全球隻(zhī)有10家企業有能(néng)力制(zhì)造，其中排(pái)名前五企業的全球市場份額(é)約爲90%。

    ②光掩膜（Photomask），又稱光罩。其是由(yóu)鉻金屬薄膜石英玻(bō)璃片制成，是集成電(diàn)路制造的“底片“。是承載集成電路設計圖案和知識産權信息的載體。目前全球光掩膜的(de)廠商主要集中在海外(wài)。

    ③光刻膠。其是由感光樹脂、增感(gǎn)劑、溶劑三(sān)種主要成份組成。在集成(chéng)電路光刻工藝中，光刻膠(jiāo)被均勻塗布在襯底上，經曝光、顯影和刻(kè)蝕等步驟，将光掩(yǎn)膜(mó)上的集成電(diàn)路(lù)圖案轉移到襯底(dǐ)上。目前，全球光刻膠市場行業集中度很高，呈現(xiàn)寡頭(tóu)壟斷局面。

    ④濺射靶材。其是集成電路濺射工藝中所使用的原材料，按成分可分爲純金屬靶材（純金屬銅、鋁、钛、钽等）、合金靶材（鎳钴合金、鎳鉻合金等）和陶瓷化(huà)合物(wù)靶材（矽化物、碳(tàn)化物、氧化物、硫化物等）。濺射技術于19世紀(jì)40年代起源于西方，因此國外在濺射靶(bǎ)材制備生産方面擁有(yǒu)一個(gè)多世紀的積澱。